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BLM18TG102TN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
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BLM15PD800SN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
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BLM15PD800SN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
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BLM15AG102SN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
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BLM18SG121TN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
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BLM21PG121SN1D芯片铁氧体磁珠BLM系列被设计成在噪声频率下几乎作为电阻器作用，这大大降低了共振的可能性保持信号波形不失真。BLM系列在没有稳定电路的情况下是有效的因为BLM系列不需要接地线与地面连接。外部的镍屏障结构电极提供优
